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原厂资料

6 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PT7A7514WEX-2017Diodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2025-06-16查看资料
NVG800A75L4DSBonsemi
  • NVG800A75L4DSB2
2023-03-30查看资料
NVG800A75L4DSConsemi
  • NVG800A75L4DSC2
2023-03-30查看资料
PT7A7514WEDiodes Incorporated
  • PT7A7514WEX
2023-01-31查看资料
HUFA75307T3STonsemi
  • NVR5198NLT1GORFDN5632N-F085
2021-12-20查看资料
HUFA75639S3STonsemi
  • NVMFS020N10MCL
2019-07-16查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

IDT71V3557SA75BQG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选
  • 71V3556SA166BQGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IDT71V3577SA75BQI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TRISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号

IXD3263B755MR-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A755MR-GZilog参数相近
原型号

IXD3264B75DER-G

Zilog

查看详情 · 3 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • IXD3263A75DER-GZilog参数相近
原型号

PT7A7533WE

Diodes Incorporated

查看详情 · 1 条候选
  • STM708TAM6FSTMicroelectronics直接替代候选
原型号

SYA75603ATWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 3 条候选
  • SY75603ATWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

SYA75608TWL-TRVAO

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • SY75608TWL-TRMicrochip Technology参数相近
原型号

TDA7560

STMicroelectronics

查看详情 · 1 条候选
  • E-TDA7560STMicroelectronics直接替代候选
原型号

XC6121A750MR-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 19 条候选
  • XC6121C750MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

286 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

APA750-FGG896

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 562 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 0 C，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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APA750-FGG896A

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 562 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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APA750-FGG896I

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 562 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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APA750-PQG208

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 158 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 0 C，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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APA750-PQG208A

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 158 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.625 V、电源电压（最小值） 2.375 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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APA750-PQG208I

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 158 个输入／输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压（最大值） 2.7 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 180 MHz、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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BZT52H-A75-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 175 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZT52H-A75X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX384-A75-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 255 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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BZX384-A75X

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 75 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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