原型号
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ABLIC Inc.
- S-817A58APF-CVVTFUABLIC Inc.直接替代候选
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原型号
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ABLIC Inc.
- S-L2980A58MC-TF-UABLIC Inc.参数相近
原型号
查看详情 · 1 条候选TA58M05S,KDQ(M
Toshiba Semiconductor and Storage
- TLE4274V50Toshiba Semiconductor and Storage相似型号
原型号
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Toshiba Semiconductor and Storage
- BAJ0CC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选XC6505A581PR-G
Torex Semiconductor Ltd
- XC6505B581PR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
S-817A58ANB-CVVT2U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.8 V、输出电流 75 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SC-82AB-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-817A58APF-CVVTFU
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SNT-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-818A58AMC-BHMT2G
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.8 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-818A58AUC-BHMT2G
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.8 V、输出电流 300 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-89-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-L2980A58MC-TF-G
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.8 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最小值） 2 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-L2980A58MC-TF-U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.8 V、输出电流 150 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsSIJA58ADP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 32.3 A，采用 PowerPAK SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIJA58ADP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 32.3 A，采用 PowerPAK-SO-8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsSIJA58DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIJA58DP-T1-GE3
Vishay Semiconductors
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 60 A，采用 PowerPAK-SO-8-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs