93AA56-I/P
Microchip Technology
- 93AA56C-I/PMicrochip Technology相似型号
8 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FMMTA56TA | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| FMMTA56TA-79 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| LA5693MD-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LA5693MC-AH | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA561 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| SA56004AD,118 | NXP |
| 查看资料 | |
| SA56004CD,118 | NXP |
| 查看资料 | |
| SA56004CDP,118 | NXP |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMicrochip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMicrochip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMMicrochip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 1.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 1.8~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMComchip Technology
该型号为二极管,主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersROHM Semiconductor
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 4.75~20 V、接口类型 SMBus、类型 Type-C、产品 USB Controllers,采用 UQFN40V5050A 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface ICROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 SOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMROHM Semiconductor
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kB、电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire,采用 TSSOP-B8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMNexperia
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 56 V、耗散功率(Pd) 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流(Ir) 50 nA、稳压管阻抗(Zz) 120 Ω、最小工作温度 - 65 C,采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes