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341 条型号记录

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7134LA55L48B

IDT

主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7134 IDT7134LA55L48B,采用 LCC-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7134SA55CB

IDT

主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7134 IDT7134SA55CB,采用 CDIP-SB-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7134SA55JG

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7134SA55JG8

IDT

主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PLCC-52 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7134SA55L48B

IDT

主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7134 IDT7134SA55L48B,采用 LCC-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7140LA55CB

IDT

主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7140 IDT7140LA55CB,采用 CDIP-SB-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7140LA55L48B

IDT

主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7140 IDT7140LA55L48B,采用 LCC-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7140SA55CB

IDT

主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 CDIP-SB-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7140SA55L48B

IDT

主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7140 IDT7140SA55L48B,采用 LCC-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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7142LA55C

IDT

主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 CDIP-SB-48 封装。

半导体 > Memory ICs > SRAM
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