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原厂资料

16 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
LA431NHPADiodes Incorporated
  • AZ431BZ-ATRG1
2022-08-31查看资料
LA431NYPADiodes Incorporated
  • AS431BRTR-G1
2022-08-31查看资料
LA431OHPADiodes Incorporated
  • AZ431AZ-ATRG1
2022-08-31查看资料
LA432NHPADiodes Incorporated
  • AZ431LBZTR-G1
2022-08-31查看资料
LA4320AAAEADiodes Incorporated
  • AP4320AK6TR-G1
2022-03-30查看资料
LA4320AAAEBDiodes Incorporated
  • AP4320BK6TR-G1
2022-03-30查看资料
KST43MTFonsemi
  • MMBTA43LT1G
2019-07-16查看资料
ADA4304-3ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4304-3ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4304-4ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4304-4ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4310-1ACPZ-RLAnalog Devices
  • ADA4310-1ACPZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4311-1ARHZ-RLAnalog Devices
  • ADA4311-1ARHZ-R7
2018-02-23查看资料
ADA4302-4ACP-REELAnalog Devices
  • ADA4302-4ACPZ-RL
2010-07-27查看资料
1SMA43CAT3Gonsemi
  • 1SMA43AT3G
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OPA4342Texas Instruments
  • TLV9004
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OPA4345Texas Instruments
  • OPA4310
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OPA4347UATexas Instruments
  • TLV9044IDR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

108 个原型号
原型号

AD8554ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 22 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4342UATexas Instruments相似型号
原型号

AD8608ARZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 23 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4342UATexas Instruments相似型号
原型号

EL5420CSZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4354AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL28414FBZ-T13

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 18 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4374AIDRTexas Instruments相似型号
原型号

ISL28433FVZ-T7A

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA4317IPWRTexas Instruments相似型号
原型号

KA431LZTF

onsemi

查看详情 · 51 条候选
  • TL431BQLPMTexas Instruments形状、安装及功能匹配候选
原型号

KA431ZTA

onsemi

查看详情 · 51 条候选
  • TL431IZTSTMicroelectronics形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

267 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

CMPZDA43V TR TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 350 mW、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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CMSZDA43V TR

Central Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 CMSZDA43V PBFREE TR，采用 SOT-323 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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CMSZDA43V TR PBFREE

Central Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括最大反向漏电流（Ir） 50 nA、商品名称 SUPERmini、单件重量 0.000212 oz，采用 SOT-323 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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CMSZDA43V TR TIN/LEAD

Central Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 275 mW、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 150 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
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FDMA430NZ

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 5 A，采用 MicroFET-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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FJA4310OTU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-3P-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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FJA4313OTU

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 TO-3P-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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GP2A431LCSAF

Sharp Microelectronics

主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Triac & SCR Output Optocouplers
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KA431ADTF

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 1 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压（最大值） 37 V，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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KA431AZBU

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括输出电压 Adjustable、最大输出电压 36 V、基准类型 Shunt Adjustable References、初始精度 1 %、温度系数 50 PPM / C、串联电压基准输入电压（最大值） 37 V，采用 TO-92-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage References
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