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搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
KA393	onsemi	LM393DR2G	2019-11-04	查看资料
KA393A	onsemi	LM393DR2G	2019-11-04	查看资料
KA393ADTF	onsemi	LM393DR2G	2019-11-04	查看资料
KA393DTF	onsemi	LM393DR2G	2019-11-04	查看资料
NTLUS3A39PZTAG	onsemi	FDME510PZT	2019-11-04	查看资料
NTLUS3A39PZTBG	onsemi	FDME510PZT	2019-11-04	查看资料
LC5851N-1A39-E	onsemi	LC877917A		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

31 个原型号

原型号

A3932SLDTR-T

Allegro MicroSystems

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A3938SLDTR-TAllegro MicroSystems参数相近

原型号

A3946KLP-T

Allegro MicroSystems

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A3946KLPTR-TAllegro MicroSystems相似型号

原型号

A3949SLPTR

Allegro MicroSystems

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A3950SLPTR-TAllegro MicroSystems参数相近

原型号

A3959SLB-T

Allegro MicroSystems

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A3959SLBTR-TAllegro MicroSystems相似型号

原型号

A3966SLB

Allegro MicroSystems

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TB6562AFG,8,ELToshiba Semiconductor and Storage相似型号

原型号

A3968SLBTR-T

Allegro MicroSystems

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L293DD013TRSTMicroelectronics相似型号

原型号

A3979SLP-T

Allegro MicroSystems

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A3979SLPTR-TAllegro MicroSystems相似型号

原型号

A3982SLBTR

Allegro MicroSystems

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A3982SLBTR-TAllegro MicroSystems参数相近

原型号

ADG712BRU-REEL

Analog Devices Inc.

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

PI5A392AQEDiodes Incorporated相似型号

原型号

KA393D

onsemi

查看详情 · 19 条候选

LM393DR2Gonsemi相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

107 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

KA393DTF

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为比较器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 18 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V、最大双电源电压 +/- 18 V、最小双电源电压 9 V，采用 SOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Analog Comparators

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LH8066803102301S REK4

Intel

主要参数包括湿敏性是、型号别名 983193。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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LH8066803102501S REK7

Intel

主要参数包括湿敏性是、型号别名 983198。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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LH8066803102801S REKC

Intel

主要参数包括湿敏性是、型号别名 983207。

半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units

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NTLUS3A39PZTAG

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 5.2 A，采用 UDFN-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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NTLUS3A39PZTBG

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 5.2 A，采用 UDFN-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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NTP5864NG

ON Semiconductor

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 63 A，采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET

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OPA391DCKR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、每通道输出电流 60 mA、技术 Si、放大器类型 Precision，采用 SC-70-5 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers

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OPA391DCKT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、每通道输出电流 60 mA、技术 Si、放大器类型 Precision，采用 SC-70-5 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers

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OPA392DBVR

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.7 V、最大双电源电压 2.75 V、最小双电源电压 850 mV、每通道输出电流 65 mA，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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