ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

原厂资料

3 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
KA3883CDTFonsemi
  • UC3843BD1R2G
2021-01-29查看资料
PI3A3899ZTEXDiodes Incorporated
  • PI3A3899ZTAEX
2021-01-26查看资料
KA3844Bonsemi
  • UC3844BNG
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

50 个原型号
原型号

ATXMEGA384C3-MN

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • ATXMEGA384C3-MHMicrochip Technology相似型号
原型号

INA381A3IDSGT

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • INA381A3IDSGRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

MCP6L91T-E/MS

Microchip Technology

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA381AIDGKRTexas Instruments相似型号
原型号

RP130N381D-TR-FE

Nisshinbo Micro Devices Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • XC6504A381MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

S-1003NB38I-I6T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1003NA38I-I6T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-1009N38I-M5T1U

ABLIC Inc.

查看详情 · 8 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1003NA38I-M5T1UABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13R1B38-A4T2U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-13R1A38-A4T2U3ABLIC Inc.参数相近
原型号

S-13R1D38-M5T1U3

ABLIC Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-13R1A38-M5T1U3ABLIC Inc.参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

162 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA381A3IDSGR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Shunt Monitor、增益带宽积（GBP） 350 kHz、共模电压（Vcm） - 0.2 V to 26 V，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A3IDSGRG4

Texas Instruments

Current Sense Amplifiers 26-V 350-kHz curren t sense amplifier wi

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A3IDSGT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Shunt Monitor、增益带宽积（GBP） 350 kHz、共模电压（Vcm） - 0.2 V to 26 V，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A3QDGSRQ1

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、增益带宽积（GBP） 150 kHz、共模电压（Vcm） 12 V、共模抑制比（CMRR） 100 dB，采用 VSSOP-10 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A4IDGSR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、增益带宽积（GBP） 105 kHz、共模电压（Vcm） 26 V、共模抑制比（CMRR） 100 dB，采用 VSSOP-10 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A4IDSGR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Shunt Monitor、增益带宽积（GBP） 350 kHz、共模电压（Vcm） - 0.2 V to 26 V，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A4IDSGRG4

Texas Instruments

Current Sense Amplifiers 26-V 350-kHz curren t sense amplifier wi

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A4IDSGT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Shunt Monitor、增益带宽积（GBP） 350 kHz、共模电压（Vcm） - 0.2 V to 26 V，采用 WSON-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

INA381A4QDGSRQ1

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.7 V、技术 Si、放大器类型 Current Sense Amplifiers、增益带宽积（GBP） 105 kHz，采用 VSSOP-10 封装。

半导体 > Amplifier ICs > Current Sense Amplifiers
查看技术资料

IXFA38N30X3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 300 V、连续漏极电流（Id） 38 A、漏源导通电阻（Rds On） 50 mOhms，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料