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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SF20JG_HF-A26Diodes Incorporated
  • SF20JG_HF
2025-07-23查看资料
PT8A2648WEDiodes Incorporated
  • PT8A2648WEX
2023-01-31查看资料
FSA2267L10Xonsemi
  • TS5A26542
2022-06-30查看资料
FSA266K8Xonsemi
  • SN74CB3Q3306A
2022-06-30查看资料
MMT05A260T3Gonsemi
  • TISP4320M3AJ
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第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

47 个原型号
原型号

AD8056AR

Analog Devices Inc.

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8056ARZ

Analog Devices Inc.

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8058ARZ

Analog Devices Inc.

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8072JRZ

Analog Devices Inc.

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  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

EL1516ISZ

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL2250CS-T7

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL5263ISZ-T7

Renesas Electronics Corporation

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  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

LMH6626MAX/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA2690IDTexas Instruments相似型号
原型号

MIC5306-2.6YD5-TR

Microchip Technology

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  • S-1333A26-M5T1U3ABLIC Inc.相似型号
原型号

OPA2674IDRG4

Texas Instruments

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  • OPA2674IDRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

328 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

GTVA263202FC-V1-R2

MACOM

该型号为氮化镓场效应晶体管,主要参数包括最大工作频率 2.69 GHz、最小工作频率 2.62 GHz、技术 氮化镓(GaN)、晶体管类型 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 150 V,采用 H-37248-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管
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ICE2A265

Infineon Technologies

主要参数包括输出电压 650 V、开关频率 100 kHz、类型 Off Line Converter、输出功率 52 W、工作电源电流 6.1 mA、最小工作温度 - 40 C,采用 DIP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > AC/DC Converters
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INA260AIPW

Texas Instruments

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、输出电流 10 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current and Power Monitors、检测方式 High or Low Side,采用 TSSOP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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INA260AIPWR

Texas Instruments

主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、特性 Alert Function, Bi-directional, Integrated Shunt, Low-side Capable、湿敏性 是、单件重量 0.008113 oz,采用 TSSOP-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators
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IXD1504A2617R-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器(LDO)。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators
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IXD1504A2619R-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器(LDO)。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators
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IXD1504A261MR-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器(LDO)。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators
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IXD1504A261NR-G

ZiLOG

该型号为低压差线性稳压器(LDO)。

半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators
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IXFA26N30X3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 300 V、连续漏极电流(Id) 26 A、漏源导通电阻(Rds On) 66 mOhms,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IXFA26N50P3

IXYS

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 500 V、连续漏极电流(Id) 26 A,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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