原型号
查看详情 · 1 条候选66AK2H12BAAWA24
Texas Instruments
- 66AK2H12DAAWA24Texas Instruments直接替代候选
搜索结果
原厂资料
9 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 6KA24L-01HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-2HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-4HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-6600HE3_A/P | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| 6KA24L-7001HE3_A/E | Vishay |
| 2022-09-16 | 查看资料 |
| FSA2457UMX | onsemi |
| 2022-06-30 | 查看资料 |
| FSA2467UMX | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| MMT05B260T3G | onsemi |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选ISL84684IR
Renesas Electronics Corporation
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- TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选ISL84684IR-T
Renesas Electronics Corporation
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- TS3A24159DRCRTexas Instruments相似型号
原型号
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Renesas Electronics Corporation
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原型号
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Texas Instruments
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- TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
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- TPS7A2401DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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Texas Instruments
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原型号
查看详情 · 12 条候选LP2992IM5-2.5/NOPB
Texas Instruments
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- TPS7A2425DBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号
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Microchip Technology
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- OPA244NA/250Texas Instruments相似型号
原型号
查看详情 · 6 条候选S-1121B24MC-N2JTFG
ABLIC Inc.
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- XC6504A241MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
BTA24-600CWRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 600 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 50 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsBTA24-800BWRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 75 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsBTA24-800CWRG
STMicroelectronics
主要参数包括非重复通态电流 260 A、额定重复断态电压（VDRM） 800 V、VDRM 下断态漏电流（IDRM） 5 uA、通态电压 1.55 V、最大维持电流（Ih） 50 mA、门极触发电压（Vgt） 1.3 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsBZT52H-A24-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 30 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZT52H-A24X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 830 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123F-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A24-QX
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX384-A24X
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 300 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A24,215
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、电压温度系数 22 mV/K、稳压管电流 50 nA、稳压管阻抗（Zz） 70 Ω，采用 TO-236AB 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84-A24-QR
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 1 %、最大反向漏电流（Ir） 50 nA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesCA24
MACOM
RF Amplifier 5-1500MHz NF 4.2dB Pout 8dBm SMA Conn.
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier