原型号
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Rohm Semiconductor
- BA07CC0TRohm Semiconductor相似型号
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Rohm Semiconductor
- BA17815CP-E2Rohm Semiconductor相似型号
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Rohm Semiconductor
- BA178M06CP-E2Rohm Semiconductor相似型号
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- UA78M09CKVURG3Texas Instruments直接替代候选
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- BA178M12CP-E2Rohm Semiconductor第三方标注：厂商推荐
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onsemi
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- BA178M05CP-E2Rohm Semiconductor相似型号
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STMicroelectronics
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- BA17824FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA177GS/2K5Texas Instruments相似型号
原型号
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Analog Devices Inc.
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- OPA172IDBVRTexas Instruments相似型号
原型号
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onsemi
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- BA17809FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
2SA1774TLS
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2SA1797T100P
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 3 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT2SA1797T100Q
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 - 5 A。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT30KPA170CA
Littelfuse
该型号为二极管，主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 189.9 V、工作电压 170 V、钳位电压 275 V、峰值脉冲电流（Ipp） 110.2 A，采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors6RY17000AA17
Siemens
主要参数包括原产国家或地区 德国。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Thyristor Modules6SY70100AA17
Siemens
主要参数包括原产国家或地区 AT。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Thyristor ModulesAPTDF400AA170G
Microchip / Microsemi
该型号为半导体器件。
半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor ModulesAPTDF400AA170G
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 1.7 kV、配置 Dual-Common Anode、正向电压（Vf） 2.2 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SP6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesAPTDX300A170D16AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 1.7 kV、正向电压（Vf） 2.7 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 D1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode ModulesAPTDX600A170D16AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、反向电压（Vr） 1.7 kV、正向电压（Vf） 2.7 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 菲律宾，采用 D1 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Diode Modules