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原厂资料

4 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
BR281W31A101V1Gonsemi
  • B300W35A109XXG
2023-12-22查看资料
QS4A101QGRenesas
  • QS3125QG
2022-02-28查看资料
QS4A101QG8Renesas
  • QS3125QG8
2022-02-28查看资料
H3TRBonsemi
  • JEDS22A101
2020-11-13查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

9 个原型号
原型号

74AVC1T45FW5-7

Diodes Incorporated

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AVC1T45GS,132

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

74AXP1T45GXZ

Nexperia USA Inc.

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

DS15BA101SD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SDE/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

DS15BA101SDE/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • DS15BA101SD/NOPBTexas Instruments参数相近
原型号

NTS0101GS,132

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • FXLA101L6Xonsemi相似型号
原型号

PIC24F08KA101T-I/SS

Microchip Technology

查看详情 · 1 条候选
  • PIC24F08KA101-I/SSMicrochip Technology直接替代候选
原型号

QS4A101QG

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • QS3125QGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

XC6603A101ER-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 2 条候选
  • XC6604A101ER-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

166 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

INA101HPG4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 PDIP-14 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101KU

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101KU/1K

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101KUE4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、放大器类型 Instrumentation Amplifier，采用 SOIC-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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INA101SM

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 40 V、电源电压（最小值） 10 V、双电源电压 +/- 15 V、工作电源电压 10～40 V、每通道输出电流 10 mA，采用 TO-10 CAN 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers
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IQS7211A101CSR

Azoteq

该型号为传感器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.71～3.5 V、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 I2C、传感器类型 Controller，采用 WLCSP-18 封装。

半导体 > Sensor ICs > Capacitance Touch Sensor ICs
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IQS7211A101QNR

Azoteq

该型号为传感器，主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 1.71～3.5 V、电源电压（最大值） 3.5 V、电源电压（最小值） 1.71 V、接口类型 I2C、传感器类型 Controller，采用 QFN-20 封装。

半导体 > Sensor ICs > Capacitance Touch Sensor ICs
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IQS7225A101QFR

Azoteq

该型号为传感器，主要参数包括原产国家或地区 中国、商品名称 ProxFusion。

半导体 > Interface ICs > Sensor Interface
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IQS7225A101QNR

Azoteq

该型号为传感器，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、商品名称 ProxFusion。

半导体 > Interface ICs > Sensor Interface
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IQS7229A101QFR

Azoteq

该型号为传感器，主要参数包括原产国家或地区 中国、商品名称 ProxSense。

半导体 > Interface ICs > Sensor Interface
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