F280049PZQ
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 100 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 40 个输入／输出，采用 LQFP-100 封装。
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F280049PZQR
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 100 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 40 个输入／输出，采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUF280049PZS
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 100 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 40 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUF280049PZSR
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 100 kB、ADC 分辨率 12 位、输入／输出数 40 个输入／输出、定时器／计数器数 3 个定时器，采用 LQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUF280049RSHSR
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 256 kB、数据 RAM 容量 100 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 25 个输入／输出，采用 VQFN-56 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUF280049RSHSRG4
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括原产国家或地区 菲律宾、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUFDMT80040DC
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 N-channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 420 A，采用 DualCool-88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETFDMT80040DC
onsemi
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 420 A，采用 Dual Cool 88-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMJE18004G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV、发射极－基极电压（VEBO） 9 V、集电极－发射极饱和电压 0.92 V，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTMJE18004G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 5 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、集电极－基极电压（VCBO） 1 kV，采用 TO-220-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT