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87 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

4N25SM

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-6 Gull Wing 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N25SR2M

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SMD-DIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N25SR2VM

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 SMD-DIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N25TVM

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N25V

Vishay Semiconductors

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 50 mA、最大集电极-发射极电压 32 V、最大集电极电流 50 mA、隔离电压 5000 Vrms,采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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4N25VM

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 60 mA、最大集电极-发射极电压 30 V、隔离电压 7500 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.5 V,采用 PDIP-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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844N255AKILF

IDT

主要参数包括高度 0.9 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、商品名称 FemtoClock、型号别名 844N255I ICS844N255AKILF,采用 VFQFPN-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner
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844N255AKILFT

IDT

主要参数包括高度 0.9 mm、长度 7 mm、宽度 7 mm、湿敏性 是、商品名称 FemtoClock、型号别名 844N255I ICS844N255AKILFT,采用 VFQFPN-48 封装。

半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Synthesizer / Jitter Cleaner
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DI014N25D1-AQ

Diotec Semiconductor

主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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FDB44N25TM

ON Semiconductor / Fairchild

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 250 V、连续漏极电流(Id) 44 A,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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