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onsemi
- LP5951MGX-2.8/NOPBTexas Instruments相似型号
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芯片技术资料
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MMSZ4681-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-HE3_A-08
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-HE3_A-18
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-HF
Comchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、最大工作温度 + 150 C、配置 Single、测试电流 50 uA，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesMMSZ4681T1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOD-123-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSLG46811V
Renesas / Dialog
主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.3 V、最大工作频率 1 MHz、宏单元数 12 Macrocell、传播延迟（最大值） 4.01 us、最小工作温度 - 40 C，采用 STQFN-12 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > SPLD - Simple Programmable Logic DevicesSZMMSZ4681T1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 2.4 V、耗散功率（Pd） 500 mW、稳压管电流 50 uA、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、配置 Single，采用 SOD123-2 封装。
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