1N4749APe3/TR12
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N4749APe3/TR12
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749APe3/TR8
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 38 mA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749APe3/TR8
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749ATR
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749AUR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 175 C、直径 2.66 mm、长度 5.2 mm，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749AUR/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 0.1 uA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-213AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4749AUR/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 24 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 25 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-213AB-2 封装。
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