ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
PI7C9X20303ULAZPEX	Diodes Incorporated	PI7C9X2G304EVAZXAEX	2026-01-22	查看资料
IHCM2321AAEG301N10	Vishay	ICMS2321AGEG281N10	2025-09-11	查看资料
G30H150CTFW	Diodes Incorporated	SDT30150GCTSP	2022-08-29	查看资料
G30H150CTW	Diodes Incorporated	SDT30150GCT	2022-08-29	查看资料
RHRG1560CC-F085	onsemi	RURG3060CC-F085	2021-04-08	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号

原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号

原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选

DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选

原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选

DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号

原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选

DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐

原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选

DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PMEG3005EJF

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 SOD-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005EL,315

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DFN-1006-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005EL-QYL

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DFN1006-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ELD,315

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 450 mV，采用 DFN-1006-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ELD-QYL

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOD-882D-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ELS-QYL

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 500 mA、正向电压（Vf） 430 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 3 A，采用 DFN-1006BD-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ELSYL

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 430 mV，采用 DFN-1006BD-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ESFYL

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 310 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 3.5 A，采用 DSN-0603-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ET,215

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 500 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料

PMEG3005ET-QR

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 165 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 500 mA、正向电压（Vf） 380 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers

查看技术资料