原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA35TF8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7132LA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7133LA35PFI8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7133SA35PFG8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选7140SA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 7140LA25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71421SA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7143LA35J8
Renesas Electronics Corporation
- 7143LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71V321LA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71V321L25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
STM32MP257DAL3
STMicroelectronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.5 GHz、数据 RAM 容量 648 kB、输入／输出数 144 个输入／输出、内核 ARM Cortex A35, ARM Cortex M33、数据总线宽度 32 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-361 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSTM32MP257FAI3
STMicroelectronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.5 GHz、数据 RAM 容量 648 kB、输入／输出数 172 个输入／输出、内核 ARM Cortex A35, ARM Cortex M33、数据总线宽度 32 位、最小工作温度 - 40 C，采用 TFBGA-436 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSTM32MP257FAJ3
STMicroelectronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括商品名称 STM32。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSTM32MP257FAK3
STMicroelectronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.5 GHz、数据 RAM 容量 648 kB、输入／输出数 144 个输入／输出、内核 ARM Cortex A35, ARM Cortex M33、数据总线宽度 32 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-424 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSTM32MP257FAL3
STMicroelectronics
该型号为微处理器（MPU），主要参数包括最大时钟频率 400 MHz, 1.5 GHz、数据 RAM 容量 648 kB、输入／输出数 144 个输入／输出、内核 ARM Cortex A35, ARM Cortex M33、数据总线宽度 32 位、最小工作温度 - 40 C，采用 VFBGA-361 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microprocessors - MPUSTWA35N65DM2
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si，采用 MOSFETs 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTGA3504-SM
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 30 GHz、测试频率 16 GHz、频率范围 2～30 GHz、技术 GaAs、类型 Wideband Gain Block Amplifier，采用 QFN-32 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTPS7A3501DRVR
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、压差 330 mV、湿敏性 是、工作电源电流 2.2 mA，采用 WSON-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsTPS7A3501DRVT
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 125 C、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、压差 330 mV、开发套件 TPS7A3501EVM-547、湿敏性 是，采用 WSON-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsXA7A35T-1CPG236Q
Xilinx
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 106 个输入／输出、工作电源电压 1 V、数据速率 1.25 Gb/s、产品 XA Artix-7、逻辑单元数 33280、最小工作温度 - 40 C，采用 CSBGA-236 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array