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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

RGS80TS65HRC11

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 1.65 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 73 A，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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RGS80TSX2DGC11

ROHM Semiconductor

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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RGS80TSX2DHRC11

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 30 V、耗散功率（Pd） 555 W，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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RGS80TSX2GC11

ROHM Semiconductor

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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RGS80TSX2HRC11

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1200 V、集电极－发射极饱和电压 1.7 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 80 A，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Transistors
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RS801

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 250 A，采用 RS-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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RS801M

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-8M 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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RS801M-C

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pin、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 200 A，采用 RS-8M 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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RS802

Rectron

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流（If） 8 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 250 A，采用 RS-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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RS802-BP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.224448 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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