ADM5170JP
Analog Devices Inc.
- ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
10 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| LV5725JA-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| LV5725JAZ-AH | onsemi |
| 2020-09-29 | 查看资料 |
| ADM5170AP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADM5170JP-REEL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ECH8620-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| FW360-TL-E | onsemi |
| 查看资料 | |
| PCM1718 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1728 | Texas Instruments |
| 查看资料 | |
| PCM1740 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
Renesas Electronics Corporation
Infineon Technologies
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
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Texas Instruments
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Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Macronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashMacronix
主要参数包括最大时钟频率 200 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压(最小值) 1.65 V、电源电压(最大值) 2 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous,采用 BGA-24 封装。
半导体 > Memory ICs > NOR FlashON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.5~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、滑动端存储类型 Non Volatile、电阻 10 kOhms、温度系数 300 PPM / C,采用 TDFN-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Digital Potentiometer ICsON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.5~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、滑动端存储类型 Non Volatile、电阻 10 kOhms、温度系数 300 PPM / C,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Digital Potentiometer ICsON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.5~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、滑动端存储类型 Non Volatile、电阻 50 kOhms、温度系数 300 PPM / C,采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Digital Potentiometer ICsON Semiconductor
该型号为集成电路,主要参数包括工作电源电压 2.5~6 V、电源电压(最大值) 6 V、电源电压(最小值) 2.5 V、滑动端存储类型 Non Volatile、电阻 10 kOhms、温度系数 300 PPM / C,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Digital Potentiometer ICsON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、接触放电静电耐受电压 30 kV、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 13.6 V、工作电压 13.5 V,采用 UDFN-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsAnalog Devices
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5~12 V、工作频率 DC to 1218 MHz、测试频率 204 MHz、类型 General Purpose Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 23.5 dBm。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierTexas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 8~384 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 1.65 V to 1.95 V, 3 V to 3.6 V、输出电压 2.1 V、接口类型 I2S、类型 Audio Stereo DAC,采用 TSSOP-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio D/A Converter ICsTexas Instruments
该型号为集成电路,主要参数包括最大时钟频率 384 kHz、通道数 2 个通道、工作电源电压 1.8 V, 3.3 V、输出电压 2.1 V、接口类型 PCM, Serial、转换器数 2 Converter,采用 TSSOP-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Audio ICs > Audio D/A Converter ICs