CA5420AM
Renesas Electronics Corporation
- CA5420AMZRenesas Electronics Corporation直接替代候选
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
Texas Instruments
Powerex Inc.
Torex Semiconductor Ltd
Torex Semiconductor Ltd
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 217 MHz,采用 FBGA-484 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 360 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 217 MHz、最小工作温度 - 55 C,采用 FBGA 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip Technology
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入/输出数 360 个输入/输出、电源电压(最小值) 2.25 V、电源电压(最大值) 2.75 V、工作电源电压 2.5 V、最大工作频率 217 MHz,采用 FBGA-484 封装。
半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 171 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 156 MHz、最小工作温度 0 C,采用 PQFP-208 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 171 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 217 MHz、产品 A54SX72A,采用 PQFP-208 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 171 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 217 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PQFP-208 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 171 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 217 MHz、最小工作温度 - 40 C,采用 PQFP-208 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayMicrochip / Microsemi
该型号为现场可编程门阵列(FPGA),主要参数包括输入/输出数 171 个输入/输出、工作电源电压 2.5 V、电源电压(最大值) 2.75 V、电源电压(最小值) 2.25 V、最大工作频率 217 MHz、最小工作温度 - 55 C,采用 PQFP-208 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 66 V、工作电压 54 V、钳位电压 87.7 V、峰值脉冲电流(Ipp) 172.2 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsLittelfuse
该型号为二极管,主要参数包括极性 Bidirectional、端接方式 Axial、击穿电压 60.3 V、工作电压 54 V、钳位电压 91.4 V、峰值脉冲电流(Ipp) 331.5 A,采用 P600-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors