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原厂资料

13 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
71V67903S80PFGRenesas
  • 71V67903S80BG
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFG8Renesas
  • 71V67903S80BG8
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGIRenesas
  • 71V67903S80BQI
2022-02-28查看资料
71V67903S80PFGI8Renesas
  • 71V67903S80BQI8
2022-02-28查看资料
ADXRS300WABGZA-RLAnalog Devices
  • ADXRS800WBRGZ-RL
2018-02-23查看资料
42019293Infineon
  • S29GL064S80DHB020
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7GA6Y0020Infineon
  • S29GL064S80TFB040
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A2C00045435AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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A2C00045440AInfineon
  • S29GL064S80BHB043
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FSS804-TL-Eonsemi
  • NTMS4802N
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MPS8098Gonsemi
  • MPS8099G
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MPS8099RLRMGonsemi
  • MPS8099RLRAG
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STPS1045HRSTMicroelectronics
  • STPS80A45CHR
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

49 个原型号
原型号

71V2546S100PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2546S133PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S100PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V2556S166PFG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V547S80PFGRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V25761S183PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3557S80PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V2556S150PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166BG

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S166PFGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80PFGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V35761S183BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71V3577S75BGI

Renesas Electronics Corporation

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  • 71V3577S80BGIRenesas Electronics Corporation相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

649 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MPS8099 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-92 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MPS8099 TRE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 0、型号别名 FREE MPS8099 PB TRE。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MS8050-H-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MS8050-L-TP

Micro Commercial Components (MCC)

该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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MYS80

Diotec Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 Solder Pad、正向电流（If） 500 mA、峰值反向电压 160 V、正向电压（Vf） 1.2 V，采用 MicroDIL-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
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N25S80BW

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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R1517S802B-E2-KE

Ricoh Electronic Devices Company

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 8 V、输出电流 500 mA、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 HSOP-6J-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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R1518S802B-E2-KE

Ricoh Electronic Devices Company

该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 8 V、输出电流 1 A、输出类型 Fixed、类型 CMOS Voltage Regulator、输出数 1 Output、极性 Positive，采用 HSOP-6J-6 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators
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RGS80NL65HRBTL

ROHM Semiconductor

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 77 A，采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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RGS80TS65DHRC11

ROHM Semiconductor

主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、集电极－发射极饱和电压 2.1 V、最大栅射电压 30 V、25°C 时连续集电极电流 73 A，采用 TO-247N-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBTs
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