24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
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| OPA241PA | Texas Instruments |
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来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Texas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、放大器类型 Current Sense Amplifiers、输出类型 Analog、共模电压(Vcm) 80 V、共模抑制比(CMRR) 2.5 mA/V,采用 HTSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、放大器类型 Current Sense Amplifiers、输出类型 Analog、共模电压(Vcm) 80 V、共模抑制比(CMRR) 2.5 mA/V,采用 HTSSOP-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 2 Gbit、电源电压(最小值) 1.425 V、电源电压(最大值) 1.575 V、类型 SDRAM - DDR3、数据总线宽度 16 位,采用 BGA-96 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMSTMicroelectronics
该型号为二极管,主要参数包括通道数 4 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 25 V、工作电压 24 V、钳位电压 38 V,采用 SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsZiLOG
该型号为低压差线性稳压器(LDO)。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsON Semiconductor / Fairchild
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V、最大双电源电压 +/- 16 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps