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原厂资料

10 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
LV5725JA-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
LV5725JAZ-AHonsemi
  • LM51XX
2020-09-29查看资料
ADM5170APAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JPAnalog Devices
  • ADM5170APZ
2018-02-23查看资料
ADM5170JP-REELAnalog Devices
  • ADM5170APZ-REEL
2018-02-23查看资料
ECH8620-TL-Eonsemi
  • QS8M51
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FW360-TL-Eonsemi
  • QS8M51
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PCM1718Texas Instruments
  • PCM1748
  • PCM5100A
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PCM1728Texas Instruments
  • PCM5101A
  • PCM1748
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PCM1740Texas Instruments
  • PCM5100A
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

21 个原型号
原型号

ADM5170JP

Analog Devices Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADM5170APZAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

AT25BCM512B-MAH-T

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选
  • AT25BCM512C-MAHF-TRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

IR4428S

Infineon Technologies

查看详情 · 51 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5111-3MX/NOPBTexas Instruments相似型号
原型号

LM2577SX-ADJ/S5001804

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM2586SX-5.0/E7001891

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5157QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM2587T-ADJ/SL110726

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • LM5158QRTERQ1Texas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM5100BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 3 条候选
  • LM5100BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5100CSD/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • LM5100BSD/NOPBTexas Instruments直接替代候选
原型号

LM5101ASDX-1/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • UCC27201ADRMRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LM5101BMAX

Texas Instruments

查看详情 · 2 条候选
  • LM5101BMAX/NOPBTexas Instruments直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

678 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MM5140-01NDB-TR

Menlo Micro

该型号为集成电路，主要参数包括最小频率 0 Hz、最大频率 8 GHz、开关配置 SP4T、插入损耗 0.4 dB、关断隔离度（典型值） 25 dB、最小工作温度 - 40 C，采用 LGA-62 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICs
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MT61M512M32KPA-10 AAT:B

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1.25 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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MT61M512M32KPA-12 AAT:B

Micron

主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 16 Gbit、电源电压（最大值） 1.25 V、类型 SDRAM - GDDR6、数据总线宽度 32 位、存储组织结构 512 M x 32。

半导体 > Memory ICs > DRAM
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MX25LM51245GMI00-T

Macronix

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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MX25LM51245GMI00-TB

Macronix

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
查看技术资料

MX25LM51245GMI00-TR

Macronix

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 SOP-16 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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MX25LM51245GMR00-TB

Macronix

主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX25LM51245GMR00、单件重量 0.003175 oz。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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MX25LM51245GXDI00-T

Macronix

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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MX25LM51245GXDI00-TR

Macronix

主要参数包括最大时钟频率 133 MHz、存储容量 512 Mbit、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 SPI、定时类型 Synchronous，采用 BGA-24 封装。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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MX25LM51245GXDR00-T

Macronix

主要参数包括接口类型 SPI、原产国家或地区 中国台湾、湿敏性 是、商品名称 Macronix、型号别名 MX25LM51245GXDR00、单件重量 0.003175 oz。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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