TSS4B02GHD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
TSS4B03G C2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B03G D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B03G D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B03GHD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B03GHD2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 200 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B04G C2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B04G D2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B04G D2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersTSS4B04GHD2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 400 V、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers