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原厂资料

7 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
PI7C9X20303ULAZPEXDiodes Incorporated
  • PI7C9X2G304EVAZXAEX
2026-01-22查看资料
IHCM2321AAEG301N10Vishay
  • ICMS2321AGEG281N10
2025-09-11查看资料
G30H150CTFWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCTSP
2022-08-29查看资料
G30H150CTWDiodes Incorporated
  • SDT30150GCT
2022-08-29查看资料
RHRG1560CC-F085onsemi
  • RURG3060CC-F085
2021-04-08查看资料
CG10167AAInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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CG10167AATInfineon
  • CY62147G30-45BVXA
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

26 个原型号
原型号

CG8556AA

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY62162G30-45BGXIT

Infineon Technologies

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  • CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY7C10612GE30-10ZSXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • CY7C10612G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

CY7S1041G30-10VXI

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • AS7C34098A-10JINAlliance Memory, Inc.相似型号
原型号

CY7S1061G30-10ZXIT

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选
  • CY7S1061GE30-10ZXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号

DG300BDJ

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG302AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 2 条候选
  • DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
原型号

DG307AAK/883

Vishay Siliconix

查看详情 · 1 条候选
  • DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

DG308BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

查看详情 · 11 条候选
  • DG408DQ-T1-E3Vishay Siliconix第三方标注：厂商推荐
原型号

DG308BDY

Vishay Siliconix

查看详情 · 8 条候选
  • DG308BDY-E3Vishay Siliconix参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

765 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MCG30N04HE3-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 30 A、漏源导通电阻（Rds On） 14.3 mOhms。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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MCG30P03-TP

Micro Commercial Components (MCC)

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs
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MIXG300PF1700TSF

IXYS

该型号为半导体器件。

半导体 > 分立半导体 > Discrete Semiconductor Modules
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MMG3002NT1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 40 MHz to 3.6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 20 dB、噪声系数（NF） 4.2 dB。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3002NT1

NXP Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 40 MHz to 3.6 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 20 dB、噪声系数（NF） 4.2 dB。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3006NT1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 17.5 dB。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3006NT1

NXP Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 6 V、工作频率 400 MHz to 2.4 GHz、测试频率 900 MHz、类型 General Purpose Amplifier、增益 17.5 dB。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3012NT1

NXP / Freescale

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0～6 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3012NT1

NXP Semiconductors

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、工作频率 0～6 GHz、测试频率 900 MHz，采用 SOT-89-3 封装。

半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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MMG3014N-EVKB1

NXP / Freescale

主要参数包括型号别名 935328401598、单件重量 2.574999 oz。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
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