ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

搜索结果

原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
2DD2656-7Diodes Incorporated
  • DSS4140U-7
2023-02-22查看资料
DNLS160V-7Diodes Incorporated
  • DSS4160V-7
2021-03-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

TSS43L RWG

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 400 mA，采用 1005 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

TSS43U RG

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 4 A，采用 0603 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

TSS43U RGG

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 200 mA、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 1 V、正向浪涌电流（Ifsm） 4 A，采用 0603 (1608 metric) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
查看技术资料

TSS4B01G C2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B01G D2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B01GHC2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B01GHD2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 50 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B02G C2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS-4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B02G D2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括技术 Si、类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A，采用 TS4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料

TSS4B02GHC2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 4 A、峰值反向电压 100 V、正向电压（Vf） 0.98 V、最大浪涌电流 150 A、最小工作温度 - 55 C，采用 TS4B-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge Rectifiers
查看技术资料