IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
技术资料参考
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Toshiba
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 160 MHz、程序存储容量 512 kB、数据 RAM 容量 128 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 155 个输入/输出,采用 LQFP-176 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 160 MHz、程序存储容量 768 kB、数据 RAM 容量 128 kB、ADC 分辨率 12 位、DAC 分辨率 8 位、输入/输出数 155 个输入/输出,采用 LQFP-176 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU)。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU)。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU)。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU)。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUToshiba
该型号为微控制器(MCU)。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCUMini-Circuits
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 4.2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 800 mA、增益 37 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 4.2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 800 mA、增益 37 dB。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier