原型号
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Infineon Technologies
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- CY7C1041G30-10ZSXIInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| PI7C9X20303ULAZPEX | Diodes Incorporated |
| 2026-01-22 | 查看资料 |
| IHCM2321AAEG301N10 | Vishay |
| 2025-09-11 | 查看资料 |
| G30H150CTFW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| G30H150CTW | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| RHRG1560CC-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
| CG10167AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG10167AAT | Infineon |
| 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选CY62162G30-45BGXIT
Infineon Technologies
- CY62162G18-55BGXITInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐
原型号
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Infineon Technologies
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原型号
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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原型号
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Vishay Siliconix
- DG300ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
- DG302AAK/883BAnalog Devices Inc./Maxim Integrated直接替代候选
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Vishay Siliconix
- DG307ACJ+Analog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
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Vishay Siliconix
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原型号
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Vishay Siliconix
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
LAV-AT-G30-3ASG410I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 196 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FOWLP-410 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLAV-AT-G30-3LBG484C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 218 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCBGA-484 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLAV-AT-G30-3LBG484I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 218 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCBGA-484 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLAV-AT-G30-3LFG676C
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 298 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCBGA-676 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLAV-AT-G30-3LFG676I
Lattice
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 14.4 Mbit、总存储容量 16.5 Mbit、输入／输出数 298 个输入／输出、工作电源电压 820 mV、最大工作频率 2.4 GHz、逻辑单元数 262000 LE，采用 FCBGA-676 封装。
半导体 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate ArrayLOG300DR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 10 mA、放大器类型 Logarithmic Amplifier、工作电源电流 3.6 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 SOIC-16 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Logarithmic AmplifiersLOG300RGTR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 3 V、每通道输出电流 10 mA、放大器类型 Logarithmic Amplifier、工作电源电流 3.6 mA、最小工作温度 - 40 C，采用 VQFN-16 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Logarithmic AmplifiersLOG305DRVR
Texas Instruments
主要参数包括电源电压（最大值） 5.25 V、电源电压（最小值） 2.7 V、输入失调电压（Vos） 150 mV、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、组装国家或地区 菲律宾，采用 WSON-6 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Logarithmic AmplifiersMCG30N03-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N- Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 30 A，采用 DFN3030-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMCG30N03A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000991 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs