24AA256T/SM
Microchip Technology
- 24AA256/SMMicrochip Technology直接替代候选
28 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| FJ2500049Q | Diodes Incorporated |
| 2025-08-22 | 查看资料 |
| HX31250035 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| HX2125004Q | Diodes Incorporated |
| 2024-11-14 | 查看资料 |
| FJ2500011 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500042 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| FK2500054 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX21250020 | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125021Q | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| HX3125025Z | Diodes Incorporated |
| 2024-06-25 | 查看资料 |
| 7130SA55CM | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTBG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTWG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| NLAS3899BMNTXG | onsemi |
| 2023-10-02 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZG8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25PZGI8 | Renesas |
| 2023-05-18 | 查看资料 |
| 71256SA25YG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 71256SA25YG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA258ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| VS-HFA25PB60PBF | Vishay |
| 2019-09-14 | 查看资料 |
| 0W463-002-XDI | onsemi |
| 查看资料 | |
| CG9059AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9059AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ25XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| ESDA25B1 | STMicroelectronics |
| 查看资料 | |
| OPA241PA | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Microchip Technology
Microchip Technology
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Renesas Electronics Corporation
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Panjit
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Single Phase Bridge、端接方式 通孔安装、正向电流(If) 25 A、峰值反向电压 1 kV,采用 GBJA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersIntel
该型号为集成电路,主要参数包括产品 Ethernet Controllers、收发器数 1 Transceiver、型号别名 875300。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsIntel
该型号为集成电路,主要参数包括产品 Ethernet Controllers、收发器数 1 Transceiver、型号别名 875302。
半导体 > 集成电路 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsInfineon Technologies
主要参数包括开关频率 100 kHz、类型 Current Mode、占空比(最大值) 77 %、最小工作温度 - 25 C、最大工作温度 + 150 C、输出数 1 Output,采用 DIP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > AC/DC ConvertersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 350 uA,采用 TSSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & RegulatorsTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 350 uA,采用 TSSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & RegulatorsTexas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2.7 V、增益带宽积(GBP) 50 kHz、共模电压(Vcm) 0~36 V、共模抑制比(CMRR) 100 dB,采用 TSSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 350 uA,采用 TSSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & RegulatorsTexas Instruments
主要参数包括电源电压(最大值) 36 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、产品 Current Monitors、检测方式 High or Low Side、工作电源电流 350 uA,采用 TSSOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Current & Power Monitors & Regulators