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原厂资料

59 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SIHB12N50C-E3Vishay
  • IRFS11N50APbF
2024-05-02查看资料
BAS116Q-13-F-2462Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-13-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-13-F
2023-09-12查看资料
BAS116Q-7-F-2545Diodes Incorporated
  • BAS116Q-7-F
2023-09-12查看资料
DPS1035FIA-13Diodes Incorporated
  • DPS1135FIA-13
2023-08-29查看资料
DFLS1100-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2023-05-15查看资料
DFLS1150-7-2477Diodes Incorporated
  • DFLS1150-7
2023-05-15查看资料
8V74S4622NLGIRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI/WRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
8V74S4622NLGI8Renesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-10-11查看资料
SURS283T3G-VF01onsemi
  • NRVUS110VT3G
2022-09-30查看资料
UDZS11BDiodes Incorporated
  • V-UDZS11B-07-LTL
2022-03-31查看资料
853S111BYILFRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
853S111BYILFTRenesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFRenesas
  • 8P34S1102NLGI
2022-02-28查看资料
854S54AKI-01LFTRenesas
  • 8P34S1102NLGI8
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGIRenesas
  • 853S111BKILF
2022-02-28查看资料
8T33FS6111DXGI8Renesas
  • 853S111BKILFT
2022-02-28查看资料
BAS116LT3Gonsemi
  • BAS116LT1G
2021-07-07查看资料
83940DYILFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYILFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
83940DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
83940DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530DYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530DYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
8530DYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
8530FY-01LFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
87016AYLFRenesas
  • 8SLVS1118NLGI
2020-06-11查看资料
87016AYLF/WRenesas
  • 8SLVS1118NLGI/W
2020-06-11查看资料
87016AYLFTRenesas
  • 8SLVS1118NLGI8
2020-06-11查看资料
DFLS1100-7-GDiodes Incorporated
  • DFLS1100-7
2020-05-28查看资料
2325090Infineon
  • S29GL01GS11DHA023
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8611200975Infineon
  • S29GL512S11TFA020
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LE25FU406BMS11-TLM-Honsemi
  • LE25U40CMCS00-AH
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P770011C-F9C353Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770011C-F9C375Infineon
  • S29GL256S11DHV023
查看资料
P770011C-F9C975Infineon
  • S29GL256S11DHV023
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P770012C-F9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770012CF9C000Infineon
  • S29GL256S11TFV023
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P770013CF9C000Infineon
  • S29GL256S11DHIV23
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P770023CF0C000Infineon
  • S29GL512S11DHI023
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P7700280F0C000Infineon
  • S29GL512S11TFI020
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P770032CF0C001Infineon
  • S70GL02GS11FHI013
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P770048CF0C000Infineon
  • S70GL02GS11FHV023
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S29GL128P11FFIV10Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV13Infineon
  • S29GL128S11FHI
查看资料
S29GL128P11FFIV20Infineon
  • S29GL128S11FHI
查看资料
S29GL128P11FFIV22Infineon
  • S29GL128S11FHI
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S29GL128P11FFIV23Infineon
  • S29GL128S11FHI
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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

25 个原型号
原型号

5T9070PAGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8T39S11ANLGIRenesas Electronics Corporation相似型号
原型号

83940DYLFT

Renesas Electronics Corporation

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  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8530FY-01LFT

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8SLVS1118NLGI8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

8V74S4622NLGI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 8P34S1102NLGIRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A0IDBVTG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A0IDBVTTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1100A4IDBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 25 条候选
  • ADS1100A4IDBVRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

ADS1110A5IDBVT

Texas Instruments

查看详情 · 6 条候选
  • ADS1110A0IDBVRTexas Instruments参数相近
原型号

ADS1148IRHBR

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • ADS1148IRHBTTexas Instruments参数相近
原型号

AOZ6184QT

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NS5S1153MUTAGonsemi相似型号
原型号

AS11P2TLRQ

STMicroelectronics

查看详情 · 2 条候选
  • NLASB3157MTR2Gonsemi形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

1,432 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BAS116TW_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000280 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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BAS116UDJ-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
查看技术资料

BAS116V-7

Diodes Incorporated

该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 General Purpose Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Dual、恢复时间 3 us，采用 SOT-563 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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BAS116VY-QX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 10 A、正向电流（If） 180 mA、配置 Triple、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
查看技术资料

BAS116VYX

Nexperia

该型号为二极管，主要参数包括产品 General Purpose Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 10 A、正向电流（If） 180 mA、配置 Triple、恢复时间 0.8 us，采用 TSSOP-6 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
查看技术资料

BAS116_R1_00001

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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BD9S110NUX-CE2

ROHM Semiconductor

该型号为电源管理器件。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC
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BD9S111NUX-CE2

ROHM Semiconductor

该型号为电源管理器件。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMIC
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BGS110MN20E6327XTSA1

Infineon Technologies

该型号为集成电路，主要参数包括电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 2.5 V、工作频率 0.1～2.7 GHz、开关数 Single、开关配置 SP10T、插入损耗 0.6 dB，采用 TSNP-20 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Switch ICs
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BSS119N H6327

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 100 V、连续漏极电流（Id） 190 mA，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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