NZ9F15VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 14.98 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 9.2 mV/K to 13 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 42 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
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NZ9F15VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 15 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 42 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F16VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16.51 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压温度系数 10.4 mV/K to 14 mV/K、稳压管电流 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F16VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 16 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F18VST5G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 17.955 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 2 %、电压温度系数 14.2 mV/K、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNZ9F18VST5G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 18 V、耗散功率（Pd） 250 mW、电压容差 2 %、最大反向漏电流（Ir） 100 nA、稳压管阻抗（Zz） 50 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOD-923-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesPI3VST01UE
Diodes Incorporated
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Multimedia ICs > Video ICsPI3VST01UEX
Diodes Incorporated
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Multimedia ICs > Video ICsS-817A55ANB-CVST2U
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 5.5 V、输出电流 75 mA、输出类型 Fixed、输出数 1 Output、极性 Positive、输入电压（最大值） 10 V，采用 SC-82AB-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsS-817A55APF-CVSTFU
ABLIC
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括单件重量 0.001058 oz，采用 SNT-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators