US1KHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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芯片技术资料
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US1KSAFS-13
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、配置 Single、正向电压（Vf） 1.85 V、最大浪涌电流 30 A、反向电流（Ir） 100 uA，采用 SMA-FS 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1KWF-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.65 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersUS1K_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersAUS1K-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Ultra Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVUS1KFA
onsemi
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
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