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原厂资料

2 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
2DD2656-7Diodes Incorporated
  • DSS4140U-7
2023-02-22查看资料
DNLS160V-7Diodes Incorporated
  • DSS4160V-7
2021-03-15查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

423 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

1SS403TPH3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 250 V、最大浪涌电流 2 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Single，采用 USC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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1SS404,H3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 300 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.38 V、配置 Single，采用 SOT-323-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS405

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 550 mV，采用 SOD-523-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS405(TPH3,F)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、类型 Silicon Epitaxial Schottky Barrier、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 100 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V，采用 SOD-523-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS405,H3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-523 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS405-AQ

Diotec Semiconductor

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、配置 Single、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V，采用 SOD-523-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS406,H3F

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 25 V、最大浪涌电流 1 A、正向电流（If） 50 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 500 mV。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes
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1SS412(TE85L,F)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 85 V、最大浪涌电流 1 A、正向电流（If） 100 mA、配置 Dual、正向电压（Vf） 1 V，采用 SC-70-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching
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1SS413(TL3,T)

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 + 125 C、技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.55 V，采用 fSC-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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1SS413,L3M

Toshiba

该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 50 mA、重复反向电压（Vrrm） 25 V、正向电压（Vf） 0.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 1 A，采用 SOD-923 封装。

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