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原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
NRVTSA3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSA3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSAF3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3Gonsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
NRVTSS3100ET3G-GA01onsemi
  • NRVBS3100T3G
2024-01-17查看资料
PDS3100-13-2477Diodes Incorporated
  • PDS3100-13
2023-05-15查看资料
HS3102-MC1Renesas
  • HS3101-MC1
2023-04-14查看资料
HS3102-ML1Renesas
  • HS3101-ML1
2023-04-14查看资料
HS3104Renesas
  • HS3103
2023-04-14查看资料
HS3104-MC1Renesas
  • HS3103-MC1
2023-04-14查看资料
HS3104-ML1Renesas
  • HS3103-ML1
2023-04-14查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

4 个原型号
原型号

AUIPS1021R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

AUIPS2031R

Infineon Technologies

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • BTS3104SDLATMA1Infineon Technologies相似型号
原型号

BTS3104SDLATMA1

Infineon Technologies

查看详情 · 3 条候选
  • BTS3104SDRATMA1Infineon Technologies参数相近
原型号

TPS3103K33DBVRG4

Texas Instruments

查看详情 · 5 条候选
  • TPS3103K33DBVRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

144 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

IPB17N25S3100ATMA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 250 V、连续漏极电流(Id) 17 A,采用 TO-263-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IPP17N25S3100AKSA1

Infineon Technologies

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 250 V、连续漏极电流(Id) 17 A,采用 TO-220-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IRFS3107TRL7PP

Infineon / IR

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 260 A,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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IRFS3107TRLPBF

Infineon / IR

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 75 V、连续漏极电流(Id) 230 A,采用 TO-252-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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LM3S310-IQN25-C2

Texas Instruments

该型号为微控制器(MCU),主要参数包括最大时钟频率 25 MHz、程序存储容量 16 kB、数据 RAM 容量 4 kB、ADC 分辨率 No ADC、输入/输出数 36 个输入/输出、定时器/计数器数 5 个定时器,采用 LQFP-48 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > ARM Microcontrollers - MCU
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MAX6394US310D2+T

Maxim Integrated

主要参数包括类型 Voltage Supervisory、型号别名 MAX6394,采用 SOT-143-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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MAX6394US310D3+T

Maxim Integrated

主要参数包括类型 Voltage Supervisory、型号别名 MAX6394、单件重量 0.001517 oz,采用 SOT-143-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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MAX6394US310D3+T

Analog Devices / Maxim Integrated

主要参数包括电源电压(最大值) 5.5 V、类型 Voltage Supervisory、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 3.102 V、监控输入数 1 Input、手动复位 Manual Reset,采用 SOT-143-4 封装。

半导体 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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MAX6394US310D4+T

Maxim Integrated

主要参数包括类型 Voltage Supervisory、型号别名 MAX6394,采用 SOT-143-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits
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MBRS3100T3G

ON Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V,采用 SMC 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers
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