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第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

ADC0808S250HW/C1:1

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • ADC0808S250HW/C1:5Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

NCP163AFCT250T2G

onsemi

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NCP160BFCS250T2Gonsemi参数相近
原型号

SN65LVDS250DBTRG4

Texas Instruments

查看详情 · 4 条候选
  • SN65LVDS250DBTRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

342 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

AFS250-FG256

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 114 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1098.9 MHz、逻辑单元数 3000，采用 FBGA 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-FG256

Microchip Technology

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括嵌入式存储容量 0 位、输入／输出数 114 个输入／输出、电源电压（最小值） 1.425 V、电源电压（最大值） 1.575 V、工作电源电压 1.5 V、最大工作频率 1.0989 GHz，采用 FBGA-256 封装。

半导体 > 集成电路 > 可编程逻辑集成电路 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-PQ208

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 93 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1098.9 MHz、逻辑单元数 3000，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-PQG208

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 93 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1098.9 MHz、逻辑单元数 3000，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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AFS250-PQG208I

Microchip / Microsemi

该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括输入／输出数 93 个输入／输出、工作电源电压 1.5 V、电源电压（最大值） 1.575 V、电源电压（最小值） 1.425 V、最大工作频率 1098.9 MHz、逻辑单元数 3000，采用 PQFP-208 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > FPGA - Field Programmable Gate Array
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BLC2425M10LS250Y

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 40.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLC2425M10LS250Z

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 40.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLC2425M9LS250Z

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 52.5 mOhms，采用 SOT1270-1-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BLP2425M10S250PY

Ampleon

该型号为晶体管，主要参数包括通道数 2 个通道、工作频率 2.4～2.5 GHz、技术 LDMOS、晶体管极性 Dual N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、漏源导通电阻（Rds On） 95 mOhms，采用 OMP-780-4F-1-5 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 射频晶体管 > RF MOSFET Transistors
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BS250FTA

Diodes Incorporated

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、类型 FET、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 45 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
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