IS49RL36160-093BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
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IS49RL36160-093EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-093EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 1.066 GHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-107BL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-107BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-107EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-107EBLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 933 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-125BL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-125BLI
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 1.35 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
半导体 > Memory ICs > DRAMIS49RL36160-125EBL
ISSI
主要参数包括最大时钟频率 800 MHz、存储容量 576 Mbit、电源电压（最大值） 1.42 V、电源电压（最小值） 1.28 V、工作电源电压 2.5 V、类型 SDRAM - DDR1，采用 BGA-168 封装。
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