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- M93S46-WMN6TPSTMicroelectronics相似型号
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- M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
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- M93C46-WMN6PSTMicroelectronics相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
M93S46-WMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 1 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 3.3 V, 5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93S56-WMN6P
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93S56-WMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93S66-WMN6P
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMM93S66-WMN6TP
STMicroelectronics
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 4 kbit、电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.5 V, 5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROMCL8800K63-G-M935
Microchip Technology
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversCL8801K63-G-M935
Microchip Technology
主要参数包括湿敏性 是。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversDN2625DK6-G M932
Microchip Technology
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 2 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 250 V、连续漏极电流（Id） 1.1 A，采用 DFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETHV20220FG-G-M931
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括工作电源电压 4.5～13.2 V、双电源电压 +/- 100 V、最大双电源电压 - 40 V, 200 V、最小双电源电压 - 160 V, 40 V、电源电压（最大值） 13.2 V、电源电压（最小值） 4.5 V，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsHV20220TQ-G-M931
Microchip Technology
该型号为集成电路，主要参数包括通道数 8 个通道、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、工作电源电压 4.5～13.2 V、导通时间（最大值） 5 us、关断时间（最大值） 5 us，采用 TQFP-48 封装。
半导体 > Switch ICs > Analog Switch ICs