ADM8828ARTZ-REEL
Analog Devices Inc.
- MAX1719EUT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| VTC1-J03E-38M8800000 | Microchip |
| 2023-02-07 | 查看资料 |
| VX-805-0017-122M880000 | Microchip |
| 2021-12-16 | 查看资料 |
| VX-705-ECE-S6408-122M880000 | Microchip |
| 2021-10-28 | 查看资料 |
| VX-805-0010-122M880000 | Microchip |
| 2021-10-28 | 查看资料 |
| ADM8828ARTZ-REEL | Analog Devices |
| 2012-04-19 | 查看资料 |
| ADM8832ACP | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| ADM8832ACP-REEL | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| ADM8832ACP-REEL7 | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| ADM8839ACP | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| ADM8839ACP-REEL7 | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
| ADM8845ACP-REEL | Analog Devices |
| 2010-07-27 | 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Analog Devices Inc.
Diodes Incorporated
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
onsemi
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
STMicroelectronics
Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Broadcom / Avago
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsBroadcom / Avago
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsBroadcom / Avago
该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICsonsemi
该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.7 V、正向浪涌电流(Ifsm) 42 A、反向电流(Ir) 40 uA。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodesonsemi
该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 20 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.7 V、正向浪涌电流(Ifsm) 77 A、反向电流(Ir) 40 uA,采用 PQFN-8x8 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky DiodesON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 Miniflat-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.8 V,采用 Miniflat-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 1 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 Miniflat-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括耗散功率(Pd) 40 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、单件重量 0.004233 oz,采用 Miniflat-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output OptocouplersON Semiconductor / Fairchild
该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 Miniflat-4 封装。
半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers