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搜索结果

原厂资料

11 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
VTC1-J03E-38M8800000Microchip
  • VT-704A-EFE-1060-38M8800000TR
2023-02-07查看资料
VX-805-0017-122M880000Microchip
  • VX-805-0035-122M880000TR
2021-12-16查看资料
VX-705-ECE-S6408-122M880000Microchip
  • VX-705-1058-122M880000TR
2021-10-28查看资料
VX-805-0010-122M880000Microchip
  • VX-805-0034-122M880000TR
2021-10-28查看资料
ADM8828ARTZ-REELAnalog Devices
  • ADM8828ARTZ-REEL7
2012-04-19查看资料
ADM8832ACPAnalog Devices
  • ADM8832ACPZ
2010-07-27查看资料
ADM8832ACP-REELAnalog Devices
  • ADM8832ACPZ-REEL
2010-07-27查看资料
ADM8832ACP-REEL7Analog Devices
  • ADM8832ACPZ-REEL7
2010-07-27查看资料
ADM8839ACPAnalog Devices
  • ADM8839ACPZ
2010-07-27查看资料
ADM8839ACP-REEL7Analog Devices
  • ADM8839ACPZ-REEL7
2010-07-27查看资料
ADM8845ACP-REELAnalog Devices
  • ADM8845ACPZ-REEL
2010-07-27查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

6 个原型号
原型号

ADM8828ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 2 条候选
  • MAX1719EUT+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated相似型号
原型号

AP3605FNTR-E1

Diodes Incorporated

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • ADM8843ACPZ-REEL7Analog Devices Inc.相似型号
原型号

LM258AMX

onsemi

查看详情 · 83 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • NJM8801ENisshinbo Micro Devices Inc.相似型号
原型号

LM8805TLX-3.0/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • TPS628436YKARTexas Instruments第三方标注:厂商推荐
原型号

PM8800ATR

STMicroelectronics

查看详情 · 1 条候选
  • PM8803TRSTMicroelectronics第三方标注:厂商推荐
原型号

TDA4VM88TGBALFRQ1

Texas Instruments

查看详情 · 1 条候选
  • TDA4VM88TGCALFRQ1Texas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

97 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BCM88795CB0KFSBG

Broadcom / Avago

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs
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BCM88797CB0KFSBG

Broadcom / Avago

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs
查看技术资料

BCM88802CA1KFSBG

Broadcom / Avago

该型号为集成电路,主要参数包括原产国家或地区 中国台湾。

半导体 > Communication & Networking ICs > Ethernet ICs
查看技术资料

FFSM1065B

onsemi

该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 10 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.7 V、正向浪涌电流(Ifsm) 42 A、反向电流(Ir) 40 uA。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes
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FFSM2065B

onsemi

该型号为二极管,主要参数包括配置 Single、正向电流(If) 20 A、重复反向电压(Vrrm) 650 V、正向电压(Vf) 1.7 V、正向浪涌电流(Ifsm) 77 A、反向电流(Ir) 40 uA,采用 PQFN-8x8 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes
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FODM8801A

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 Miniflat-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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FODM8801AR2

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、正向电压(Vf) 1.8 V,采用 Miniflat-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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FODM8801AR2V

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 1 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、最大集电极电流 30 mA、隔离电压 3750 Vrms,采用 Miniflat-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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FODM8801AV

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括耗散功率(Pd) 40 mW、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、单件重量 0.004233 oz,采用 Miniflat-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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FODM8801B

ON Semiconductor / Fairchild

该型号为晶体管,主要参数包括通道数 1 个通道、输出类型 NPN Phototransistor、正向电流(If) 20 mA、最大集电极-发射极电压 75 V、隔离电压 3750 Vrms、最大集电极-发射极饱和电压 0.4 V,采用 Miniflat-4 封装。

半导体 > 集成电路 > Optocouplers / Photocouplers > Transistor Output Optocouplers
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