原型号
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Cirrus Logic Inc.
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- WM8523GEDTCirrus Logic Inc.相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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BCM857QASZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 6 V，采用 DFN-1010B-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBUK9M85-60EX
Nexperia
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 12.8 A，采用 LFPAK33-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCTLSH10-60M856 TR13
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 60 V、正向浪涌电流（Ifsm） 250 A，采用 TLM-856 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersLM8502TME/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 30 C to + 85 C、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、特性 I2C Control，采用 DSBGA-30 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversLM8502TMX/NOPB
Texas Instruments
主要参数包括工作温度范围 - 30 C to + 85 C、最小工作温度 - 30 C、最大工作温度 + 85 C、特性 I2C Control，采用 DSBGA-30 封装。
半导体 > 集成电路 > Driver ICs > LED Lighting DriversNJM8512AE-TE2
Nisshinbo
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、增益带宽积（GBP） 7 MHz、压摆率（SR） 20 V/us、输入失调电压（Vos） 80 uV，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersNJM8512AR-TE2
NJR
主要参数包括商品名称 NJM8512。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersNJM8512AR-TE2
Nisshinbo
主要参数包括商品名称 NJM8512。
半导体 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersNJM8512BE-TE2
Nisshinbo
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 16 V、电源电压（最小值） 4.5 V、增益带宽积（GBP） 7 MHz、压摆率（SR） 20 V/us、输入失调电压（Vos） 80 uV，采用 SOP-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersNJM8512BR-TE2
NJR
主要参数包括商品名称 NJM8512。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers