MTM761100LBF
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 WSMini-6 封装。
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MTM761110LBF
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 12 V、连续漏极电流（Id） 4 A，采用 WSMini-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMTM761230LBF
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 3 A，采用 WSMini-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMTM763200LBF
Panasonic
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 1.9 A, 1.2 A，采用 WSMini-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMTM763250LBF
Panasonic
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 1.7 A，采用 WSSMini-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRFFM7600TR13
Qorvo
主要参数包括工作电源电压 5 V、工作频率 2.5～2.7 GHz、技术 GaAs InGaP、类型 Wi-Fi、工作电源电流 825 mA、最大工作温度 + 85 C，采用 QFN-24 封装。
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