US6M2TR
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 2 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel MOSFET, 1 P-Channel MOSFET、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel, P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V, 30 V，采用 SOT-363T-6 封装。
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原厂资料
3 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 资料 |
|---|---|---|---|
| NSR0130M2T5G | onsemi |
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| NSR0140M2T5G | onsemi |
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| NSR0230M2T5G | onsemi |
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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