ES2JAHR2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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芯片技术资料
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ES2JAHR2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JAHR3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JAHR3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JA_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JB-HF
Comchip Technology
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.68 V、最大浪涌电流 60 A，采用 SMB/DO-214AA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JF R4G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 50 A，采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JFL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.001235 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JHE3-LTP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersES2JHL-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括产品 Rectifiers。
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