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原厂资料

9 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
AR0237ATSC12XUEA0-DPBRonsemi
  • AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
AR0239ATSH00XUEA0-DPBRonsemi
  • AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
AR0239ATSH00XUEA0-TPBRonsemi
  • AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
ASX342ATSC00XPED0-DPonsemi
  • AS0149ATSC00XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
ASX342ATSC00XPED0-DRonsemi
  • AS0149ATSC00XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
ASX350AT3C00XPEA0-DRonsemi
  • AS0149ATSC00XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
MT9V128IA3XTC-TRonsemi
  • AS0149ATSC00XUEA1-DPBR
2023-12-22查看资料
AR0233ATSC17XUEA1-DPBR1onsemi
  • AR0233ATSC17XUEA1-DPBR
2022-09-30查看资料
AR0233ATSC17XUEA1-DRBR1onsemi
  • AR0233ATSC17XUEA1-DRBR
2022-09-30查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

8 个原型号
原型号

S912XEA128J2CAAR

NXP USA Inc.

查看详情 · 2 条候选
  • S912XEG128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号

S912XEG128J2CAAR

NXP USA Inc.

查看详情 · 2 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S912XEA128J2CAARNXP USA Inc.参数相近
原型号

S912XEG128W1MAA

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S912XEA128J2MAANXP USA Inc.参数相近
原型号

SFEM008GB1EA1TO-I-GE-121-STD

Swissbit

查看详情 · 1 条候选
  • NSEC53T064-ITInsignis Technology Corporation相似型号
原型号

SFEM016GB1EA1TO-I-GE-111-STD

Swissbit

查看详情 · 2 条候选
  • SFEM016GB1EA1TO-I-GE-121-STDSwissbit直接替代候选
原型号

TEA1733CT/N1,118

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • TEA1733T/N1,118NXP USA Inc.直接替代候选
原型号

TEA1999TK/1J

NXP USA Inc.

查看详情 · 1 条候选
  • TEA1999TK/2JNXP USA Inc.直接替代候选

技术资料参考

芯片技术资料

141 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-E16

Swissbit

主要参数包括存储容量 32 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 250 MB/s、持续写入速率 90 MB/s、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-111-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 32 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 175 MB/s、持续写入速率 21 MB/s、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM032GB1EA1TO-I-LF-121-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 32 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 MLC、顺序读取速率 175 MB/s，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-E32

Swissbit

主要参数包括存储容量 64 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 250 MB/s、持续写入速率 90 MB/s、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM064GB1EA1TO-I-HG-111-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 64 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 175 MB/s、持续写入速率 21 MB/s、最小工作温度 - 40 C。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM064GB1EA1TO-I-HG-121-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 64 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 MLC、顺序读取速率 175 MB/s，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM2048B1EA1TO-I-GE-12P-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 2 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 PSLC、顺序读取速率 270 MB/s，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-E02

Swissbit

主要参数包括存储容量 4 GB、工作电源电压 2.7～3.6 V、配置 MLC、持续读取速率 250 MB/s、持续写入速率 90 MB/s、最小工作温度 - 40 C，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 4 GB、配置 MLC、持续读取速率 175 MB/s、持续写入速率 21 MB/s、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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SFEM4096B1EA1TO-I-GE-121-STD

Swissbit

主要参数包括存储容量 4 GB、电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 eMMC 5.0、配置 MLC、顺序读取速率 250 MB/s，采用 BGA-153 封装。

半导体 > Memory ICs > eMMC
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