BZX84C9V1Q-13-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
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BZX84C9V1Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000282 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1S-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1T-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 150 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1TW_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1TW_R1_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1TW_R2_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1TW_R2_10001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、最大反向漏电流（Ir） 500 nA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W
Diotec Semiconductor
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBZX84C9V1W-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 200 mW、电压容差 6 %、电压温度系数 5.4 mV/C、稳压管电流 5 mA、稳压管阻抗（Zz） 15 Ω，采用 SOT-323 封装。
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