MBR1020VL_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 20 V、正向电压（Vf） 300 mV。
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原厂资料
18 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR10200CTB | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LS | Diodes Incorporated |
| 2024-07-08 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-2084 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR10200CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR10200CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| MBR1020VL | onsemi |
| 2020-04-01 | 查看资料 |
| MBR10200CD-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CDTR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CS2TR-G1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBR10200CTF-E1 | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-JT | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
| MBRF10200CT-LJ | Diodes Incorporated |
| 2019-02-05 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
SBR10200CT
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 10 A、正向电压（Vf） 900 mV、配置 Dual Common Cathode，采用 TO-220AB-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10200CTB
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、正向电流（If） 5 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 920 mV、正向浪涌电流（Ifsm） 80 A、反向电流（Ir） 10 mA，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10200CTB-13-G
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、类型 Switching Diode、产品 Schottky Diodes、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10200CTFP
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、类型 Switching Diode、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.9 V，采用 ITO-220FP-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSBR10200CTL-13
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 200 V、正向电压（Vf） 0.94 V，采用 TO-252-3 封装。
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