BC857A_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
2 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC858A-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
| BC858AW-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
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ABC857A-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTABC857AW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTSBC857ALT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 125、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSBC857ALT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 PNP、最小直流电流增益（hfe） 125、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。
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