BC856BLT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-23-3 封装。
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BC856BLT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BLT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BLT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BM-QYL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 250 mW、增益带宽积（fT） 100 MHz、最小工作温度 - 55 C，采用 SOT-883 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BM-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-883-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BM3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000035 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BM3T5G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.65 V，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BM3T5G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 SOT-723-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856BMBYL
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 DFN-1006-3 封装。
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