BC856AW,115
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。
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BC856AW,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 250 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 650 mV，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-G
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 65 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、原产国家或地区 中国台湾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-QF
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AW-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856AWHE3-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、单件重量 0.000176 oz，采用 SOT-323-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC856A_R1_00001
Panjit
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000296 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT