BAS116LYL
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
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BAS116Q-13-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116Q-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116QAZ
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1010D-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116T-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 General Purpose Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-523 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116TT1G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、恢复时间 3 us、正向电压（Vf） 900 mV，采用 SOT-416 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116TT1G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 500 mA、正向电流（If） 200 mA、配置 Single、恢复时间 3 us，采用 SOT-416 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116TW_R1_00001
Panjit
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000280 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching DiodesBAS116UDJ-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBAS116V-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、产品 General Purpose Diodes、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 215 mA、配置 Dual、恢复时间 3 us，采用 SOT-563 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching