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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
HUFA76409D3ST	onsemi	NVD5C688NLT4G	2019-07-24	查看资料
LA76933G7FB-E	onsemi	LA76931J7FB-E		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

4 个原型号

原型号

93AA76T/SN

Microchip Technology

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93AA76/SNMicrochip Technology直接替代候选

原型号

CAT93C76VI-GT3

onsemi

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93AA76CT-I/SNMicrochip Technology相似型号

原型号

XC6505B761MR-G

Torex Semiconductor Ltd

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命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

XC6505A761MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近

原型号

XC6701A762MR-G

Torex Semiconductor Ltd

查看详情 · 1 条候选

XD6216B761MR-QTorex Semiconductor Ltd参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

124 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

93AA76CT-I/MNY

Microchip Technology

主要参数包括存储容量 8 kbit、存储组织结构 1 k x 8, 512 x 16，采用 TDFN-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA76CT-I/MS

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA76CT-I/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA76CT-I/ST

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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93AA76T/SN

Microchip Technology

主要参数包括最大时钟频率 3 MHz、存储容量 8 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电压 1.8～6 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > Memory ICs > EEPROM

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BA7603F-E2

ROHM Semiconductor

该型号为集成电路，主要参数包括通道数 3 个通道、工作电源电压 4.5～5.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、类型 Video Signal Switch、工作电源电流 13 mA，采用 SOP-16 封装。